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2SK1808 参数 Datasheet PDF下载

2SK1808图片预览
型号: 2SK1808
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1808  
Main Characteristics  
Power vs. Temperature Derating  
Maximum Safe Operation Area  
60  
100  
30  
10  
40  
20  
3
1
0.3  
0.1  
Ta = 25°C  
0.03  
0.01  
0
50  
100  
150  
1
3
10 30 100 300 1000 3000 10000  
Case Temperature TC (°C)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Typical Output Characteristics  
Pulse Test  
Typical Transfer Characteristics  
5
4
3
2
5
VDS = 20 V  
Pulse Test  
6 V  
10 V  
4
3
2
1
5 V  
4.5 V  
75°C  
TC = 25°C  
1
0
4 V  
–25°C  
VGS = 3.5 V  
0
10  
20  
30  
40  
50  
2
4
6
8
10  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain to Source Saturation Voltage  
vs. Gate to Source Voltage  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Drain Current  
20  
16  
12  
50  
20  
Pulse Test  
5 A  
Pulse Test  
10  
5
VGS = 10 V  
8
4
15 V  
2
1
2 A  
ID = 1 A  
0.5  
0
4
8
12  
16  
20  
0.2  
0.5  
1
2
5
10  
20  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain Current ID (A)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6