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2SJ484 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SJ484
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内容描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 79 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SJ484
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
–4
10 V
–3
–2
5 V
V
GS
= 0, 5 V
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
Switching Time Test Circuit
Vin
Vin Monitor
D.U.T.
R
L
Vout
Monitor
10%
Waveform
90%
90%
90%
Vin
10 V
50
V
DD
= –10 V
Vout
td(on)
10%
tr
td(off)
10%
tf
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6