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    2SC3355 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3355图片预览
    型号： 2SC3355
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大 [NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 10 页 / 242 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第9页浏览型号2SC3355的Datasheet PDF文件第10页  
    2SC3355
    SMITH CHART
    S
    11e
    , S
    22e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V
    8
    0.0 2
    0.4
    9
    0.0
    1
    0.4
    0.9
    0.8
    1.2
    0.10
    0.40
    110
    0.7
    0.11
    0.39
    100
    0.12
    0.38
    0.13
    0.37
    90
    1.0
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    80
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    70
    1.4
    0.1
    6
    0.3
    4
    0.
    0. 06
    44
    5
    0.
    07
    0.
    3
    4
    0.
    0
    13
    1.6
    12
    0
    0.6
    6
    00
    1.8
    0.1
    0.3
    7
    3
    0.
    2.0
    0.2
    50
    0.
    18
    32
    19
    0.
    31
    0.
    0.0
    0.4
    5
    5
    POS
    14
    ITIV
    0
    ER
    EA
    CT
    +
    A
    –– JX
    NCE
    Z
    O
    ––
    CO
    M
    PO
    N
    T
    EN
    0.4
    0
    0.2 0
    40
    0.3
    WAVELE
    NGTH
    S
    0.02
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    0.0
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    3
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    0.4
    0.0
    TOR
    IN
    DE
    7
    4
    GRE
    0.4
    ES
    6
    15
    0
    )
    (
    0
    0.01
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    0.48
    0
    0.49
    0.01
    2
    RD
    LOAD
    0.0
    A
    W
    LECTION
    COEF
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    0.7
    0.8
    0.9
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    1.8
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    10
    20
    0
    7
    0.4
    REF
    3
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    6
    0.0
    THS
    ANGLE
    OF
    0.4
    NG
    4
    ELE
    −
    160
    0.0
    AV
    5
    W
    0.4
    5
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    −
    1
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    0.1
    0.6
    ENT
    ON
    MP
    0
    0.2
    0.
    8
    I
    C
    = 20 mA
    4.0
    CO
    CE
    AN
    CT
    JX –
    A
    −
    ––
    O
    RE
    –Z
    E
    IV
    AT
    )
    0.3
    (
    44
    0.
    06
    40
    0.
    −
    1
    4
    0.
    0.
    5
    2.0
    0.6
    1.8
    1.6
    0.7
    0.8
    0.9
    1.2
    1.4
    1.0
    S
    21e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V, I
    C
    = 40 mA
    90˚
    120˚
    0.2 GHz
    60˚
    S
    12e
    -FREQUENCY
    CONDITION : V
    CE
    = 10 V, I
    C
    = 40 mA
    90˚
    120˚
    60˚
    150˚
    S
    21e
    30˚
    150˚
    180˚
    2.0 GHz
    4
    8
    12
    16 20
    0˚ 180˚
    –150˚
    –30˚
    –150˚
    –120˚
    –90˚
    –60˚
    –120˚
    –90˚
    Data Sheet PU10208EJ01V0DS
    3.
    0
    0.
    32
    0.
    18
    −
    5
    0
    4
    0.3
    6
    3
    0.1
    0.3
    7
    0.1
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    −
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    −
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    0.14
    −
    80
    1.0
    2.0 GHz
    0.8
    1.
    S
    22e
    0.2 GHz
    0.1
    0.2
    0.3
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    20
    50
    REACTANCE COMPONENT
    R
    ––––
    0.2
    Z
    O
    (
    )
    10
    5.0
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    0.4
    0.2
    0.2
    I
    C
    = 20 mA
    I
    C
    = 40 mA
    I
    C
    = 40 mA
    0.2 GHz
    0.4
    0.2 GHz
    0.8
    0.6
    S
    11e
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    0
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    −
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    1
    0
    0.4
    0.0
    2
    20
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    .09
    −
    1
    NE
    G
    −
    1
    0.
    4
    0.
    3
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    0.
    4
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    0
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    0.8
    0
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    1
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    2
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    20
    0.2
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    0.25
    0
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    0
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    .28
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    0
    −
    10
    0.2
    .22
    9
    −
    20
    0.2
    1
    −
    3
    0
    −
    4
    0
    0.
    0.
    31
    19
    S
    12e
    2.0 GHz
    30˚
    0˚
    –30˚
    –60˚
    5

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