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    FM23MLD16-60-BG 参数 Datasheet PDF下载

    FM23MLD16-60-BG图片预览
    型号： FM23MLD16-60-BG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8Mbit的F-RAM存储器 [8Mbit F-RAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路
    文件页数/大小： 13 页 / 173 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM23MLD16-60-BG的Datasheet PDF文件第9页  
    FM23MLD16 - 512Kx16 FRAM （多模）
    地址锁存
    图1.框图
    引脚说明
    引脚名称
    TYPE
    A(18:0)
    输入
    / CE1 ， CE2
    输入
    / WE
    输入
    / OE
    DQ （15 ：0）
    / UB
    /磅
    VDD
    VSS
    输入
    I / O
    输入
    输入
    供应
    供应
    引脚说明
    地址输入： A（ 17 ： 0 ）地址线在每个F-的选择262,144言
    RAM死亡。 A18选择两个管芯中的一个。最低的两个地址线A （1： 0 ）可以是
    用于页面模式读取和写入操作。
    芯片使能输入：设备选择和新的内存访问开始于
    落下的/ CE1的边缘（而CE2高）或CE2的上升沿（当/ CE1低）。该
    整个地址是内部锁存在这一点上。
    写使能：一个写周期开始时/ WE为有效。上升沿使
    FM23MLD16写的DQ总线的F-RAM阵列上的数据。的下降沿
    / WE锁存一个新的列地址为页模式写周期。
    输出使能：当/ OE是低电平时， FM23MLD16驱动数据总线时，有效的读
    数据是可用的。拉高/ OE高的三态DQ引脚。
    数据：用于访问所述的F- RAM阵列16位双向数据总线。
    高字节选择：启用DQ （ 15 ： 8 ），销过程中的读取和写入。这些引脚是高阻抗
    如果/ UB高。
    低字节选择：启用DQ （ 7 ： 0 ）引脚在读取和写入。这些引脚是高阻抗
    如果/ LB高。
    电源电压： 3.3V
    地
    1.0版
    2008年12月
    芯片&行解码器
    分页： 13 2

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