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FM23MLD16-60-BG 参数 Datasheet PDF下载

FM23MLD16-60-BG图片预览
型号: FM23MLD16-60-BG
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内容描述: 8Mbit的F-RAM存储器 [8Mbit F-RAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路
文件页数/大小: 13 页 / 173 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM23MLD16 - 512Kx16 FRAM (多模)
电源周期时序
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 2.7V至3.6V ,除非另有说明)
符号
参数
最大
t
PU
电到第一次访问时间(V后
DD
分)
450
-
t
PD
最后写( / WE高)断电时间(前V
TP
)
0
-
t
VR
V
DD
上升时间
50
-
t
VF
V
DD
下降时间
100
-
单位
µs
µs
微秒/ V
微秒/ V
笔记
1,2
1,2
笔记
1
在测量上的V任意点的斜率
DD
波形。
2
Ramtron公司无法测试或表征所有V
DD
电源斜坡曲线。内部电路的行为很难预测
当V
DD
低于晶体管的阈值电压的电平。 Ramtron公司强烈建议V
DD
速度比通电
通过0.4V至1.0V的范围内为100ms 。
数据保留
(V
DD
= 2.7V至3.6V )
参数
数据保留
10
单位
岁月
笔记
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
0至3V
3纳秒
输入和输出时序水平
输出负载电容
1.5V
30pF
读周期时序1
( / CE1低, CE2高, / OE低)
读周期时序2
( / CE控制)
1.0版
2008年12月
第9页的13