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FM22L16-55-TG 参数 Datasheet PDF下载

FM22L16-55-TG图片预览
型号: FM22L16-55-TG
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内容描述: 4Mbit的FRAM存储器 [4Mbit FRAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路
文件页数/大小: 15 页 / 190 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM22L16
地址锁存&写保护
座&行解码器
图1.框图
引脚说明
引脚名称
TYPE
A(17:0)
输入
/ CE
输入
/ WE
输入
/ OE
/ZZ
输入
输入
DQ (15 :0)
/ UB
/磅
VDD
VSS
1.0版
2007年3月
I / O
输入
输入
供应
供应
引脚说明
地址输入: 18地址线选择262,144字的FRAM阵列中的一个。
最低的两个地址线A (1 :0)可用于页面模式读取和写入
操作。
芯片使能输入:设备选择和新的内存访问开始时, / CE是
低/ ZZ高。整个地址被内部锁存/ CE的下降沿。
随后改变A( 1 : 0 )的地址输入允许页面模式操作时, / CE
是低的。
写使能:一个写周期开始时/ WE为有效。上升沿使
FM22L16的DQ总线上的数据写入到FRAM的阵列。的/ WE的下降沿
锁存一个新的列地址的快速页面模式写周期。
输出使能:当/ OE是低电平时, FM22L16驱动数据总线时,有效的读
数据是可用的。不声明/ OE高的三态DQ引脚。
睡眠:当/ ZZ为低电平时,器件进入低功耗的睡眠模式的最低
目前的状况。由于该输入进行逻辑AND'd与/ CE, / ZZ必须高为
正常读/写操作。
数据:用于访问FRAM的阵列16位双向数据总线。
高字节选择:启用DQ ( 15 : 8 ),销过程中的读取和写入。这些引脚是高阻抗
如果/ UB高。
低字节选择:启用DQ ( 7 : 0 )引脚在读取和写入。这些引脚是高阻抗
如果/ LB高。
电源电压: 3.3V
...
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