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FM22L16-55-TG 参数 Datasheet PDF下载

FM22L16-55-TG图片预览
型号: FM22L16-55-TG
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内容描述: 4Mbit的FRAM存储器 [4Mbit FRAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路
文件页数/大小: 15 页 / 190 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM22L16
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压对任何信号引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
评级
-1.0V至+ 4.5V
-1.0V至+ 4.5V和
V
IN
& LT ; V
DD
+1V
-55 ° C至+ 125°C
300° C
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
额定值只,设备的这些功能操作或高于任何其他条件,在上市
本规范的操作部分是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 2.7V至3.6V ,除非另有说明)
符号参数
典型值
最大
单位备注
V
DD
电源
2.7
3.3
3.6
V
I
DD1
V
DD
电源电流
18
mA
1
I
DD2
V
DD
电源电流 - CMOS
-
1.5
mA
2
I
SB2
待机电流 - CMOS
-
150
3
µA
I
ZZ
睡眠模式电流
-
5
4
µA
I
LI
输入漏电流
±1
µA
I
LO
输出漏电流
±1
µA
V
IH
输入高电压
2.2
V
DD
+ 0.3
V
V
IL
输入低电压
-0.3
0.6
V
V
OH1
输出高电压(
I
OH
= -1.0毫安)
2.4
V
V
OH2
输出高电压(
I
OH
= -100
µA)
V
DD
-0.2
V
V
OL1
输出低电压(
I
OL
= 2.1 mA)的
0.4
V
V
OL2
输出低电压(
I
OL
= 100
µA)
0.2
V
笔记
1.
V
DD
= 3.6V , / CE骑自行车在最小。周期时间。所有的输入切换,在CMOS电平( 0.2V或V
DD
-0.2V ) ,所有的DQ引脚卸载。
2.
V
DD
= 3.6V , / CE在V
SS
,所有其他引脚是静态的,在CMOS电平( 0.2V或V
DD
-0.2V ) / ZZ高。
3.
V
DD
= 3.6V , / CE在V
DD
,所有其他引脚是静态的,在CMOS电平( 0.2V或V
DD
-0.2V ) / ZZ高。
4.
V
DD
= 3.6V , / ZZ低,在CMOS电平的其他所有输入( 0.2V或V
DD
-0.2V).
1.0版
2007年3月
第8页共15