初步
FM22L16
4Mbit的FRAM存储器
特点
4Mbit的铁电非易失性RAM
•
组织为256Kx16
•
配置为512Kx8使用/ UB ， / LB
•
10
14
读/写周期
•
无需等待的写入™
•
页面模式操作，以40MHz的
•
先进的高可靠性铁电工艺
SRAM兼容
•
JEDEC 256Kx16 SRAM引脚
•
55 ns的存取时间， 110 ns的周期时间
高级功能
•
低V
DD
监控防止记忆
意外写入
•
软件可编程块写保护
优越于电池供电的SRAM模块
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
低功耗工作
•
2.7V - 3.6V电源
•
低电流模式（ 5μA ）使用ZZ引脚
•
18毫安工作电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
44引脚“绿色” / RoHS指令TSOP -II封装
描述
该FM22L16是256Kx16非易失性存储器
读取和写入像一个标准的SRAM 。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性的，这意味着数据后保留
电源被移除。它提供了数据保持
10年同时消除了可靠性问题，
功能性的缺点，而且系统设计
电池供电的SRAM （ BBSRAM ）的复杂性。
快写时序和无限的读写次数化妆
FRAM优于其它类型的存储器。
在系统的FM22L16的操作非常相似
到其他RAM器件，可以用来作为一个下拉
替代标准的SRAM 。读取和写入
周期可由/ CE或仅仅是触发
改变地址。该FRAM内存
非易失性由于其独特的强电介质存储器
流程。这些特性使FM22L16理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入的SRAM的形式。
该FM22L16包括低电压监测器
禁止访问该存储器阵列当V
DD
滴剂
低于临界阈值。该存储器被保护
对一个无意的访问和数据损坏
在此条件下。该器件还具有
软件控制的写保护。内存
阵列被分成8均匀的块，每个块的
可以单独写保护状态。
该器件采用400万44针TSOP -II提供
表面贴装封装。设备规格
保证在工业级温度范围-40°C
至+ 85°C 。
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VDD
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
/ZZ
A8
A9
A10
A11
A12
订购信息
FM22L16-55-TG
55 ns访问， 44针
“绿色” / RoHS指令TSOP -II
这是一个已经固定的目标规格，但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
1.0版
2007年3月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
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