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    DM2200T1-12L 参数 Datasheet PDF下载

    DM2200T1-12L图片预览
    型号： DM2200T1-12L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-11]
    分类和应用： 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 18 页 / 150 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第11页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第12页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第14页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第15页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第16页浏览型号DM2200T1-12L的Datasheet PDF文件第17页  
    /RE Active Cache Read Miss (Page Mode)  
    tC  
    tRE  
    /RE  
    tRP  
    tMSU  
    tMH  
    /F  
    tMSU  
    tMH  
    W/R  
    tASR  
    tRAH  
    tCAH  
    Row  
    Column 1  
    Column 2  
    tASC  
    Row  
    A
    0-10  
    tASC  
    tCRP  
    tCAH  
    tCAE  
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    /WE  
    tPC  
    tCQV  
    tAC  
    tCQX  
    tRAC  
    Open  
    Data 1  
    Data 2  
    Q
    tAC  
    tGQZ  
    /G  
    /S  
    tGQX  
    tSHR  
    tSSR  
    tGQV  
    tSQZ  
    Don’t Care or Indeterminate  
    for data 2, and t becomes  
    1.  
    NOTES: If column address 2 modifies only address pin A or A , then t becomes t  
    9
    10  
    AC  
    AC1  
    CQX  
    t
    for data 1.  
    CQX1  
    1-13  

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