欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HYB25DC128160CE-6 参数 Datasheet PDF下载

HYB25DC128160CE-6图片预览
型号: HYB25DC128160CE-6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128 - Mbit的双数据速率SDRAM [128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 32 页 / 1836 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
 浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第21页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第22页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第23页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第24页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第26页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第27页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第28页浏览型号HYB25DC128160CE-6的Datasheet PDF文件第29页  
Internet Data Sheet  
HYB25DC128[800/160]C[E/F]  
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
TABLE 21  
DD Specification  
I
Symbol  
–5  
–6  
Unit  
Note1) / Test Condition  
DDR400B  
DDR333B  
IDD0  
IDD1  
90  
75  
75  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
×8 2)3)  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
3)  
90  
100  
110  
5
85  
95  
IDD2P  
IDD2F  
IDD2Q  
IDD3P  
IDD3N  
5
3)  
3)  
3)  
3)  
36  
30  
28  
24  
18  
15  
45  
38  
54  
45  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
×8 3)  
IDD4R  
IDD4W  
100  
120  
105  
130  
190  
3.0  
85  
100  
90  
110  
160  
3.0  
1.1  
215  
215  
×16 3)  
3)  
IDD5  
IDD6  
4)  
Low power 5)  
×8 3)  
×16 3)  
IDD7  
250  
250  
1) Test conditions: VDD = 2.7 V, TA = 10 °C  
2) DD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 133 MHz for DDR266, 166 MHz for DDR333, and 200  
MHz for DDR400.  
I
3) Input slew rate = 1 V/ns.  
4) Enables on-chip refresh and address counters.  
5) Low power available on request  
Rev. 1.1, 2007-01  
25  
03062006-JXUK-E7R1  
 复制成功!