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    HYB18H512321AFL20 参数 Datasheet PDF下载

    HYB18H512321AFL20图片预览
    型号： HYB18H512321AFL20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 100 页 / 1884 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第79页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第80页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第81页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第82页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第84页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第85页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第86页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第87页  
    HYB18H512321AF  
    512-Mbit GDDR3  
    Electrical Characteristics  
    5.5  
    Output Test Conditions  
    VDDQ  
    60 Ohm  
    Test point  
    DQ  
    DQS  
    Figure 65 Output Test Circuit  
    5.6  
    Pin Capacitances  
    Table 30  
    Parameter  
    Pin Capacitances (VDDQ = 1.8V, TA = 25°C, f= 1MHz)  
    Symbol  
    Min  
    Max  
    Unit  
    Notes  
    Input capacitance:  
    A0-A11, BA0-2,CKE, CS, CAS, RAS, WE, CKE,  
    RES,CLK,CLK  
    CI,CCK  
    1.5  
    2.5  
    pF  
    Input capacitance:  
    DQ0-DQ31, RDQS0-RDQS3, WDQS0-WDQS3, DM0-  
    DM3  
    CIO  
    2.5  
    3.5  
    pF  
    Data Sheet  
    83  
    Rev. 1.73, 2005-08  
    05122004-B1L1-JEN8  

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