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SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SI4410DY
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 251 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
Si4410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
03ad53
03ad55
50
IS
(A)
40
VGS = 0 V
10
VGS
(V)
8
ID = 10 A
VDD = 15 V
TJ = 25℃
30
6
20
4
10
150 ºC
0
0
0.4
0.8
1.2
VSD (V)的
1.6
TJ = 25℃
2
0
0
10
20
30
QG ( NC )
40
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
GS
= 0 V
I
D
= 10 A; V
DD
= 15 V
图13.来源(二极管的正向)的电流的一个函数
源极 - 漏极(二极管的正向)电压;典型
值。
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
9397 750 08048
©飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年7月5日
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