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型号: SI4410DY
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 251 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
Si4410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
03aa33
2.5
VGS ( TH)
(V)
2
最大
10-1
ID
(A)
10-2
03aa36
典型值
1.5
10-3
典型值
最大
1
10-4
0.5
10-5
0
-60
0
60
120
TJ ( C)
o
10-6
180
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VGS ( V)
I
D
= 250
µA;
V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图9,栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
图10,子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
03ae24
40
政府飞行服务队
(S)
30
TJ = 25℃
VDS >内径×导通电阻
104
03ad54
C
(PF )
150 ºC
20
103
西塞
科斯
10
CRSS
0
0
10
20
30
40
ID ( A)
50
10
10-1
1
10
VDS ( V)
102
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
DS
& GT ;
I
D
×
R
DSON
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图11.正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值。
图12.输入,输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值。
9397 750 08048
©飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年7月5日
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