SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI4410DY
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内容描述：	N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 251 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

Si4410DY

N沟道增强模式音响场效晶体管

8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定编

符号参数

静态特性

GS （ TH）

DSS

门源阈值电压

漏极 - 源极漏电流

= 250

µA;

= V

; T

= 25

°C;

图9

= 30 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 55

°C

GSS

D（上）

DSON

栅极 - 源极漏电流

通态漏电流

漏源导通电阻

±20

V; V

= 0 V

≥

5; V

= 10 V

= 10 V ;我

= 10 A;

图7

和

= 4.5 V ;我

= 5 A;

图7

和

动态特性

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

= 2.3A ; V

= 0 V;

图13

反向恢复时间

= 2.3 A;的dI

/ DT =

−100

A / μs的; V

= 0 V

= 25 V ; ř

= 25

Ω;

= 10 V ; ř

= 6

Ω

= 15 V ;我

= 10 A;

图11

= 10 A; V

= 15 V; V

= 5 V;

图14

= 10 A; V

= 15 V; V

= 10 V;

图14

−

21.5

13.5

0.7

−

100

1.1

−

100

−

13.5

µA

mΩ

−

条件

民

典型值

最大

单位

源极 - 漏极（反向）二极管

9397 750 08048

产品数据

牧师02 - 2001年7月5日

5 13

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