BF998 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BF998
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS- FET的 [Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	12 页 / 117 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅N沟道双栅MOS- FET的

特点

•

具有较高的正向传输短沟道晶体管

纳输入电容比

•

低噪声增益控制放大器高达1GHz 。

应用

•

VHF和UHF应用的12 V电源电压，

如电视调谐器和专业

通信设备。

顶视图

手册， halfpage

BF998 ; BF998R

S，B

MAM039

描述

在一个塑料耗尽型场效应晶体管

超小型SOT143或SOT143R包源

与基体连接。该晶体管

防止过高的输入电压浪涌通过

门之间的集成背到后端二极管

源。

小心

该器件采用防静电包装中提供。该

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

标识代码：

MOP 。

Fig.1

简化外形（ SOT143 ）

和符号; BF998 。

手册， halfpage

钉扎

针

符号

S，B

来源

漏

门2

门1

描述

顶视图

S，B

MAM040

标识代码：

MOP 。

Fig.2

简化外形（ SOT143R ）

和符号; BF998R 。

快速参考数据

符号

合计

y



ig1-s

漏电流

总功耗

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

工作结温

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

参数

漏源电压

条件

−

2.1

−

典型值。

马克斯。

200

−

150

°C

单位

1996年8月1日

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