BF998 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BF998
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS- FET的 [Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	12 页 / 117 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅N沟道双栅MOS- FET的

BF998 ; BF998R

手册，全页宽

VDD

VAGC

1 nF的

VDD

1 nF的

140 kΩ

100 kΩ

1 nF的

270 kΩ

Ω

输入

1 nF的

为2〜18 pF的

为0.5〜 3.5 pF的

1.8 kΩ

360

Ω

1 nF的

Ω

产量

0.5〜

3.5 pF的

4到40 pF的

MGE801

VDD

= 12 V ; ğ

= 3.3毫秒; ğ

= 1毫秒。

L1 = L4 = 200 nH的; 11接通0.5毫米铜线，没有间隔，内部直径为3毫米。

L 2 = 2厘米，镀银0.8毫米铜线4毫米以上的地平面。

L3 = 2厘米，镀银0.5毫米铜线4毫米以上的地平面。

图18增益控制测试电路在f = 800兆赫。

1996年8月1日

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