BF998 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BF998
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS- FET的 [Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	12 页 / 117 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅N沟道双栅MOS- FET的

BF998 ; BF998R

手册，全页宽

VDD

µF

VAGC

1 nF的

47 kΩ

1 nF的

Ω

输入

5.5 pF的

1 nF的

15 pF的

140 kΩ

VDD

1 nF的

BB405

330 kΩ

BB405

330 kΩ

360

Ω

10 pF的

1.8 kΩ

1 nF的

µH

1 nF的

Ω

产量

100 kΩ

VTUN

输入

1 nF的

VTUN

产量

1 nF的

MGE802

= 12 V ; ğ

= 2毫秒; ğ

= 0.5毫秒。

L1 = 45 nH的; 4圈0.8毫米铜线，内径4毫米。

L2 = 160 nH的; 3匝0.8毫米铜线，内径8毫米。

螺纹大约一半来自冷端一转，以调整G

= 0.5毫秒。 C1调整对于G

= 2毫秒。

图17增益控制测试电路在f = 200兆赫。

1996年8月1日

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