恩智浦半导体
74HC595 -Q100 ; 74HCT595 -Q100
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
9.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
条件
74HC595-Q100
民
V
CC
V
I
V
O
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
输入过渡上升和
掉落率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
T
AMB
环境温度
2.0
0
0
-
-
-
40
典型值
5.0
-
-
-
1.67
-
+25
最大
6.0
V
CC
V
CC
625
139
83
+125
74HCT595-Q100
民
4.5
0
0
-
-
-
40
典型值
5.0
-
-
-
1.67
-
+25
最大
5.5
V
CC
V
CC
-
139
-
+125
V
V
V
NS / V
NS / V
NS / V
C
单位
符号参数
10.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号
参数
条件
40 C
+85
C
民
74HC595-Q100
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
OH
高位
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
所有输出
I
O
=
20 A;
V
CC
= 2.0 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 4.5 V
I
O
=
20 A;
V
CC
= 6.0 V
Q7S输出
I
O
=
4
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
5.2
毫安; V
CC
= 6.0 V
QN总线驱动器输出
I
O
=
6
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
7.8
毫安; V
CC
= 6.0 V
3.84
5.34
4.32
5.81
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
3.84
5.34
4.32
5.81
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
1.9
4.4
5.9
2.0
4.5
6.0
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
V
V
V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
典型值
最大
40 C
+125
C
民
最大
单位
74HC_HCT595_Q100
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
© NXP B.V. 2013年保留所有权利。
产品数据表
第2版 - 2013年4月10日
7 23
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
