恩智浦半导体
74HC595 -Q100 ; 74HCT595 -Q100
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
表7中。
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图14 。
符号参数
t
su
建立时间
条件
DS到SHCP ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
SHCP到STCP ;
SEE
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
t
h
保持时间
DS到SHCP ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
t
REC
恢复
时间
先生SHCP ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
f
最大
最大
频率
SHCP或STCP ;
SEE
和
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
C
PD
动力
f
i
= 1 MHz的; V
I
= GND到V
CC
耗散
电容
传播SHCP到Q7S ;看
延迟
STCP至Qn ;看
先生Q7S ;看
t
en
t
DIS
t
W
启用时间OE到Qn ;看
禁止时间OE到Qn ;看
脉冲宽度
SHCP高或低;
SEE
STCP高或低;
SEE
MR低;看
t
su
建立时间
DS到SHCP ;看
SHCP到STCP ;
SEE
t
h
保持时间
DS到SHCP ;看
25
C
最小值典型值
[1]
最大
50
10
9
11
4
3
-
-
-
40 C
+85
C 40 C
+125
C
单位
民
65
13
11
最大
-
-
-
民
75
15
13
最大
-
-
-
ns
ns
ns
75
15
13
3
3
3
50
10
9
22
8
7
6
2
2
19
7
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
95
19
16
3
3
3
65
13
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
22
19
3
3
3
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
30
35
-
30
91
108
115
-
-
-
-
4.8
24
28
-
-
-
-
-
4
20
24
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
pF
74HCT595 -Q100 ; V
CC
= 4.5 V至5.5 V
t
pd
-
-
-
-
-
16
16
20
16
16
3
25
24
23
21
18
6
5
8
5
8
2
42
40
40
35
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
20
25
20
20
3
53
50
50
44
38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
24
30
24
24
3
63
60
60
53
45
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
74HC_HCT595_Q100
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第2版 - 2013年4月10日
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PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
