恩智浦半导体
74HC595 -Q100 ; 74HCT595 -Q100
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
11.动态特性
表7中。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
符号参数
74HC595-Q100
t
pd
传播SHCP到Q7S ;看
延迟
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
STCP至Qn ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
先生Q7S ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
t
en
启用时间OE到Qn ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
t
DIS
禁止时间OE到Qn ;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
t
W
脉冲宽度
SHCP高或低;
SEE
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
STCP高或低;
SEE
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
MR低;看
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
75
15
13
17
6
5
-
-
-
95
19
16
-
-
-
110
22
19
-
-
-
ns
ns
ns
75
15
13
11
4
3
-
-
-
95
19
16
-
-
-
110
22
19
-
-
-
ns
ns
ns
75
15
13
17
6
5
-
-
-
95
19
16
-
-
-
110
22
19
-
-
-
ns
ns
ns
条件
25
C
最小值典型值
最大
40 C
+85
C 40 C
+125
C
单位
民
最大
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
52
19
15
55
20
16
47
17
14
47
17
14
41
15
12
160
32
27
175
35
30
175
35
30
150
30
26
150
30
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
34
220
44
37
220
44
37
190
38
33
190
38
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
41
265
53
45
265
53
45
225
45
38
225
45
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
74HC_HCT595_Q100
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第2版 - 2013年4月10日
10 23
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
