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型号: 2N7002
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内容描述: 60 V , 300毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 159 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
2N7002
60 V , 300毫安N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
2N7002
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
2N7002
[1]
% =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
12%
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
峰值栅极 - 源极电压
漏电流
脉冲;吨
p
50 µs;
δ
= 0.25
V
GS
= 10 V ;牛逼
sp
= 25°C ;看
V
GS
= 10 V ;牛逼
sp
= 100 ℃;看
I
DM
P
合计
T
j
T
英镑
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
结温
储存温度
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25 °C
脉冲;吨
p
10微秒;牛逼
sp
= 25 °C
脉冲;吨
p
10微秒;牛逼
sp
= 25°C ;看
T
sp
= 25°C ;看
条件
25 °C
T
j
150 °C
25 °C
T
j
150 ℃; ř
GS
= 20 kΩ
-
-
-30
-40
-
-
-
-
-65
-65
-
-
最大
60
60
30
40
300
190
1.2
0.83
150
150
300
1.2
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
W
°C
°C
mA
A
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
2N7002
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产品数据表
启示录7 - 2011年9月8日
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