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型号: 2N7002
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内容描述: 60 V , 300毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 159 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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SO
T2
2N7002
60 V , 300毫安N沟道沟槽MOSFET
启示录7 - 2011年9月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
使用N-沟道增强型场效应晶体管(FET )中的塑料包装
沟槽MOSFET技术。
3
1.2特点和优点
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
非常快速的切换
表面安装封装
沟槽MOSFET技术
1.3应用
逻辑电平转换器
高速线路驱动器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
25 °C
T
j
150 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
sp
= 25°C ;看
T
sp
= 25°C ;看
V
GS
= 10 V ;我
D
= 500毫安;牛逼
j
= 25 °C;
-
-
-
-
典型值
-
-
-
2.8
最大
60
300
0.83
5
单位
V
mA
W
静态特性
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
来源
1
2
mbb076
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装( TO- 236AB )
S