2.6.3
寻找SiGe半导体的领导者：C ？你只要找到我们！
恩智浦QUBiC4工艺技术
恩智浦创新的，高性能SiGe ：C QUBiC4过程中让客户实现更多的功能集成到
不占空间，具有竞争力的成本，精湛的可靠性，增加效益，显著制造
优势。国家的最先进的我们的QUBiC4技术和丰富的IP可用性的速度从迁移
砷化镓元件硅通过实现最佳的一流的低噪声性能的尖端产品，
线性度，功耗，抗带外的信号，杂散性能和输出功率。
多层式四子棋是一个成熟的过程自2002年以来一直处于大批量生产，并曾连续表现
升级添加至今。该QUBiC4工艺符合汽车行业标准和双源两高
体积，NXP资8英寸waferfabs提供灵活，低成本的制造具有高的产率和非常
低ppm的在外地。
有三个QUBiC4变体，每一个都有其自己的
针对特定应用领域的好处
QUBiC4+
该QUBiC4 + BiCMOS工艺特点0.25微米CMOS工艺，
用于集成密数字5的金属层的基于逻辑的
智能功能，一组丰富的有源和无源器件的
高频混合信号的设计，包括厚的上部金属
层为高品质的电感器。该设备集包括
35 GHz的˚F
T
NPN晶体管与3.8 V击穿电压（ BVce0 ）和低
噪声系数（ NF < 1.1分贝@ 2千兆赫） ， 5 GHz的˚F
T
VPNPs ，一个28 GHz的
高电压的NPN与5.9 V的击穿电压，差动
和单端与Q因子> 30 ，可扩展的变容二极管
电感器的Q因子> 20 ， 800 MHz的FT横向穿透概率，
0.25微米CMOS ， 137 ， 220 & 12至2000欧姆/平方。和聚
有源电阻器，一个270欧姆/平方。硅铬薄膜电阻，
5.7 FF /平方微米的氧化电容和一个5 FF /平方微米MIM电容，
1-6 fF的/平方微米氧化物电容器和各种其他设备
包括L-穿透概率，隔离NMOS ， 3.3 V CMOS和RF -CMOS
晶体管电容。该QUBiC4 +处理的硅基
和理想的应用高达5千兆赫（六
T
= 35千兆赫，
NF < 1.1分贝@ 2千兆赫） ，以及用于介质功率放大器
高达33 dBm的。
QUBiC4X
该的QUBiC4X BiCMOS工艺是一种硅锗碳为基础的扩展
该多层式四子棋过程用于高频混合信号设计的
并提供了一组丰富的设备，其中包括一个110 GHz的˚F
T
与NPN
2.0V的击穿电压和非常低的噪声系数（NF < 1.0分贝@
10千兆赫）为0.25μm的CMOS ，各种电阻器，一个5.7 fF的/平方微米的氧化
电容器，和一个5 fF的/平方微米MIM电容器。
该的QUBiC4X是理想的，通常在运行应用程序
高达30千兆赫（六
T
= 110千兆赫， NF < 1.0分贝@ 10千兆赫）和超
低噪声的应用，如低噪声放大器和混频器。
QUBiC4Xi
该QUBiC4Xi BiCMOS工艺进一步提高了的QUBiC4X
过程，并提供设备的一个附加功能集为高
高频混合信号设计。其中包括180 GHz的˚F
T
NPN晶体管以1.4V的击穿电压和超低噪声系数
（ NF < 0.7分贝@ 10千兆赫） ， 0.25微米CMOS ，几个电阻，
5.7 FF /平方微米的氧化电容和一个5 FF /平方微米MIM电容。
QUBiC4Xi代表了最新的SiGe ： C工艺，用
改进的F
T
（ > 200千兆赫）和更低的噪声系数
（ NF < 0.6分贝@ 10千兆赫） 。它是理想的应用程序之外
30千兆赫，例如LO发生器。
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恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
