2.6 Technology
2.6.1
第一个主流的半导体公司提供的氮化镓产品
恩智浦殃，氮化镓（GaN ）宽带放大器
一种颠覆性的技术，创下新的性能界限的射频功率放大器
如果独立市场研究索赔成真，氮化镓产品
销量将超过300万美元在2014年这只能发生，如果氮化镓
通过主流半导体公司提供，
恩智浦是第一个做到这一点。那么，什么是关于氮化镓
和RF功率应用？简单地说，甘做一个逐步增加
在效率和功率密度性能超过硅LDMOS的
大多数应用。这可以在约翰逊的图进行量化
优异（ FOM ） - 的显著RF性能结合
变量具有对硅的基线为1 ，并导致一个FOM为氮化镓
324.要投入一些这方面，砷化镓，另一种常用
射频使用复合材料，拥有1.44 FOM 。用这样的高
FOM的评价，氮化镓真正代表一个突破性的技术。
氮化镓产品被称为高电子迁移率晶体管
（HEMT ） ，其拍摄的固有优点之一的名称
氮化镓：高电子漂移速度。这些晶体管是
耗尽型器件，即，通常是在设备上，
而不需要施加的栅极偏压。负门
偏差，将需要进行切换的晶体管关闭。这种偏置
并不简单，但在恩智浦，我们已经开发完成
解决方案（而不仅仅是单个组件） ，包括一个尝试
和测试偏置电路。我们还提供持续的应用
在整个产品的生命支持。
GaN构成的进一步的优点是，它是一个非常困难的结构能够
能够承受非常高的温度。恩智浦半导体的氮化镓晶体管会
被指定到250℃的最高温度下，相比于
225 ℃，硅LDMOS 。优惠套装需要支持
这样高的温度。在这方面，恩智浦的客户氮化镓
从我们30年的历史中的射频功率产品中受益，而我们
大型工业基地。由于GaN系供应商，我们提供卓越
氮化镓射频功率放大器
TYPE
CLF1G0035-200
CLF1G0060-10
CLF1G0060-30
CLF2G2536-100
CLF2G2536-300
CLF3G4060-30
CLF3G4060-350
在产品的可靠性和成本，并给我们的客户提供高
的信任在供应链中的程度。这是一个什么样的一部分
取的GaN主流需要。
第一个恩智浦的GaN产品将是无与伦比的宽带
需要高射频性能的放大器应用中使用的
在很宽的频率范围高达3.5 GHz的。恩智浦的第一
代氮化镓工艺是专为产品运营
从一个50V的电源电压，提供最佳的一流的效率
和线性度。该产品将采用业界标准封装
脚印使客户能够采用恩智浦的产品进入
现有的设计不改变机械设计。
恩智浦新一代GaN器件将超级节能，
实现一个突破，性能上最大的RF
电力市场细分：蜂窝基站。反过来，这
技术将实现从线性放大器出发
拓扑与开关模式功率放大器的发病
（ SMPA ）的概念。恩智浦致力于利用技术
在产品的全系列也将导致产品的高
频率应用高达10GHz 。
f
MIN †
（兆赫）F
最大
（兆赫） P
OUT
（W）的匹配
0
0
0
0
0
2500
2500
4000
4000
3500
3500
3500
6000
6000
3600
3600
6000
6000
50
100
200
10
30
100
300
30
350
-
-
-
-
-
I / O
I / O
I / O
I / O
V
DS
(V)
50
50
50
50
50
28
28
28
28
η
D
(%)
54
52
50
54
54
65
65
55
55
G
p
（ dB）的
14.2
14.8
14.2
14
14
13
13
13
13
TEST§
信号
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
脉冲
包
SOT1228
SOT1227
SOT1227
SOT1135
计划
应用
发布
Q312
Q412
Q313
Q113
Q113
Q413
Q413
Q114
Q114
蜂窝， WiMAX和ISM ，航空电子设备，
S波段，通用
蜂窝， WiMAX和ISM ，航空电子设备，
S波段，通用
蜂窝， WiMAX和ISM ，航空电子设备，
S波段，通用
蜂窝， WiMAX和ISM ，航空电子设备，
S波段，通用
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S波段，通用
蜂窝， WiMAX和S波段
蜂窝， WiMAX和S波段
C波段
C波段
70
恩智浦半导体RF手册16
th
版
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
