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    SI9410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI9410DY图片预览
    型号： SI9410DY
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    内容描述： N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 251 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SI9410DY的Datasheet PDF文件第12页  
    Philips Semiconductors
    Si9410DY
    N-channel enhancement mode field-effect transistor
    03ae51
    03ae53
    30
    IS
    (A)
    20
    VGS = 0 V
    10
    VGS
    (V)
    8
    ID = 7 A
    Tj = 25 ºC
    VDD = 15 V
    6
    4
    10
    2
    Tj = 25 ºC
    0
    0
    0.3
    0.6
    0.9
    VSD (V)
    1.2
    0
    10
    20
    30 Q (nC) 40
    G
    150 ºC
    0
    T
    j
    = 25
    °C
    and 150
    °C;
    V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 7 A; V
    DD
    =15 V
    Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
    source-drain (diode forward) voltage; typical
    values.
    Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
    charge; typical values.
    9397 750 08238
    © Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
    Product data
    Rev. 02 — 05 July 2001
    8 of 13

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