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    IRF630 参数 Datasheet PDF下载

    IRF630图片预览
    型号： IRF630
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    内容描述： N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 100 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第9页  
    Philips Semiconductors
    Product specification
    N-channel TrenchMOS™ transistor
    IRF630, IRF630S
    REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
    T
    j
    = 25˚C unless otherwise specified
    SYMBOL PARAMETER
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    Continuous source current
    (body diode)
    Pulsed source current (body
    diode)
    Diode forward voltage
    Reverse recovery time
    Reverse recovery charge
    CONDITIONS
    MIN.
    -
    -
    I
    F
    = 9 A; V
    GS
    = 0 V
    I
    F
    = 9 A; -dI
    F
    /dt = 100 A/µs;
    V
    GS
    = -10 V; V
    R
    = 25 V
    -
    -
    -
    TYP. MAX. UNIT
    -
    -
    0.85
    92
    0.5
    9
    36
    1.2
    -
    -
    A
    A
    V
    ns
    µC
    August 1999
    3
    Rev 1.100

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