NXP Semiconductors
BC847 series
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
1200
h
FE
1000
(1)
mgt731
1200
V
BE
(mV)
1000
(1)
mgt732
800
(2)
800
(2)
600
600
400
(3)
400
(3)
200
200
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
10
−2
10
−1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55 C
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
55 C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 150
C
Fig 9.
Group C: DC current gain as a function of
collector current; typical values
10
4
mgt733
Fig 10. Group C: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
1200
V
BEsat
(mV)
1000
(1)
mgt734
V
CEsat
(mV)
10
3
800
(2)
600
(3)
10
2
(1)
400
200
(3) (2)
10
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55 C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55 C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 150
C
Fig 11. Group C: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 12. Group C: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
BC847_SER
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 20 August 2012
8 of 18
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
