Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MSA892
1PS79SB10
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
2
(1) (2) (3)
10
3
IR
(µA)
10
2
(2)
(1)
MSA893
10
10
1
(1)
(2) (3)
1
(3)
10
1
10
1
0
0.4
0.8
VF (V)
1.2
0
10
20
VR (V)
30
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
15
Cd
(pF)
10
MSA891
5
0
0
10
20
V R (V)
30
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1998 Jul 16
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
