NXP Semiconductors
1PS76SB10
Schottky barrier single diode
7. Characteristics
Table 7.
Symbol
V
F
Characteristics
Parameter
forward voltage
Conditions
I
F
= 0.1 mA; T
amb
= 25 °C
I
F
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
I
F
= 10 mA; T
amb
= 25 °C
I
F
= 30 mA; T
amb
= 25 °C
I
F
= 100 mA; T
amb
= 25 °C
I
R
C
d
10
3
I
F
(mA)
10
2
(1) (2) (3)
Min
-
-
-
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
Max
240
320
400
500
800
2
10
msa893
(1)
Unit
mV
mV
mV
mV
mV
µA
pF
reverse current
diode capacitance
V
R
= 25 V; T
amb
= 25 °C; pulsed;
t
p
= 300 µs; δ = 0.02
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C; V
R
= 1 V
msa892
10
3
I
R
(µA)
10
2
(2)
10
10
1
(1)
(2) (3)
1
(3)
10
- 1
0
0.4
0.8
V
F
(V)
1.2
10
- 1
0
10
20
V
R
(V)
30
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig. 2.
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
1PS76SB10
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
18 July 2012
3/8
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
