Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
MLE112
1PS10SB82
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
(2)
10
3
handbook, halfpage
IR
(µA)
MLE113
10
2
(1)
(3)
(1)
10
2
10
(2)
1
10
10
−1
(1)
(2)
(3)
(3)
1
0
0.4
0.8
1.2
VF (V)
1.6
10
−2
0
5
10
VR (V)
15
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
1.2
MLE114
10
3
handbook, halfpage
rD
(Ω)
10
2
MLE115
Cd
(pF)
1
0.8
10
0.6
0.4
0
2
4
6
8
VR (V)
10
1
10
−1
1
10
IF (mA)
10
2
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
Fig.5
Differential diode forward resistance as a
function of forward current; typical values.
2003 Aug 20
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
