NXP Semiconductors
2PA1774xMB series
40 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
−1200
V
BE
(mV)
−1000
mdb664
−10
3
mdb665
V
CEsat
(mV)
(1)
−800
(2)
−10
2
−600
(1)
(2)
(3)
−400
(3)
−200
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I
C
(mA)
−10
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I
C
(mA)
V
CE
=
6
V
(1) T
amb
=
55 C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 150
C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55 C
Fig 3.
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
mdb666
Fig 4.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
10
3
mdb668
−1200
V
BEsat
(mV)
-1000
(1)
R
CEsat
(Ω)
10
2
−800
(2)
−600
10
(3)
(1)
(2)
−400
(3)
−200
−10
−1
−1
−10
2
I
C
(mA)
−10
1
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
I
C
(mA)
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55 C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
= 150
C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
C
(2) T
amb
= 25
C
(3) T
amb
=
55 C
Fig 5.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 6.
Collector-emitter equivalent on-resistance as a
function of collector current; typical values
2PA1774XMB_SER
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 23 March 2012
6 of 12
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
