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NTD4302-1 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302-1图片预览
型号: NTD4302-1
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内容描述: 功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) [Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 89 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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NTD4302
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板,将有一组
控制设置,这将得到期望的加热方式。该
操作者必须设置温度数个加热区
和一个数字带速。两者合计,这些控制
设置补热“轮廓”为特定
电路板。在由计算机控制的机器,所述
计算机从一个操作系统会记住这些配置文件
会话到下一个。图15示出了一个典型的加热
焊接表面轮廓时使用的安装设备到
印刷电路板。此配置文件将各不相同
焊接系统,但它是一个很好的起点。因素
能够影响信息包括焊接的类型
系统在使用中,密度和类型上的组件的
用板,型焊料和电路板的类型或
所使用的衬底材料。该图显示
温度与时间的关系。图上的线表示
可能会遇到的表面上的实际温度
的试验板在或靠近中央的焊点。两
配置文件基于高密度和低密度
板。该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊
焊接系统用于生成此配置文件。类型
使用的焊料是62/36/2铅锡银与熔融
在177 -189 ℃的点。当这种类型的炉子是
用于回流焊接工作中,电路板和焊料
关节往往先热。主板上的组件
然后通过传导加热。电路板,由于它具有
表面积大,吸收的热能更
有效地,然后分发该能量给组件。
因为这种效果的,组件的主体可
最多为30度比相邻焊点冷却器。
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
第4步
加热
开发区3及6
“浸泡”
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
160°C
步骤5
第6步
STEP 7
加热
VENT
冷却
开发区4和7
205 °〜 219℃
“秒杀”
高峰
170°C
SOLDER
联合
150°C
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
5°C
140°C
焊料液
40至80秒
(根据
装配质量)
时间( 3〜7分钟总)
T
最大
图15.典型的焊接暖气简介
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