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NTD4302-1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NTD4302-1
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内容描述: 功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) [Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 89 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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NTD4302
对于采用DPAK封装的表面贴装封装信息
推荐的足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小,以确保适当的焊接连接
6.20
0.244
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
3.0
0.118
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中,焊料膏必须施加到焊盘上。
焊料模版用于筛选的最佳量。
这些模板通常是0.008英寸,并且可以是
由黄铜或不锈钢的。对于包如
SC- 59 , SC- 70 / SOT- 323 , SOD- 123 , SOT -23 , SOT -143 ,
SOT- 223 , SO - 8 , SO- 14 , SO- 16和SMB / SMC二极管
包,模版开口应该是一样的垫
大小或1:1的登记。这是不是与DPAK的情况下
和D
2
PAK封装。若用1:1的开口筛选
焊接到漏极焊盘,错位和/或
“墓碑”,可能是由于过量的焊料的发生。为
这两个包,开口在模板为糊
应的标签面积的大约50%。开放
对于引线仍然是1:1的登记。图14示出了一个
典型模板的DPAK和D
2
PAK封装。该
所述开口中的模版为漏极焊盘的图案是不
只要它允许垫的约50%至临界
覆盖有糊。
图14.典型的模板和DPAK
D
2
PAK封装
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,故障内完成焊接
很短的时间,可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法,所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时,
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力,这可能导致
损坏设备。
* *由于遮蔽而无法设置的波
高度掺入其它表面安装元件,该
D
2
PAK不推荐用于波峰焊。
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锡膏
开口
模版