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    NTD4302-1 参数 Datasheet PDF下载

    NTD4302-1图片预览
    型号： NTD4302-1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET 68安培， 30伏特（ N沟道DPAK ） [Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 89 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第9页  
    NTD4302
    最大额定值
    (T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    等级
    漏极至源极电压
    栅极 - 源极电压 - 连续
    热阻
    - 结到外壳
    总功率耗散@ T
    C
    = 25°C
    连续漏电流@ T
    C
    = 25 （注4 ）
    连续漏电流@ T
    C
    = 100°C
    热阻
    - 结到环境（注2 ）
    总功率耗散@ T
    A
    = 25°C
    连续漏电流@ T
    A
    = 25°C
    连续漏电流@ T
    A
    = 100°C
    漏电流脉冲（注3 ）
    热阻
    - 结到环境（注1 ）
    总功率耗散@ T
    A
    = 25°C
    连续漏电流@ T
    A
    = 25°C
    连续漏电流@ T
    A
    = 100°C
    漏电流脉冲（注3 ）
    工作和存储温度范围
    单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
    J
    = 25°C
    (V
    DD
    = 30伏直流电，V
    GS
    = 10伏，峰值I
    L
    = 17 APK ， L = 5.0 mH的，R
    G
    = 25
    Ω)
    最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
    1.
    2.
    3.
    4.
    当表面安装到FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
    当表面安装用0.5平方的FR4板。英寸漏极焊盘尺寸。
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比= 2 ％ 。
    通过内部引线电流限制。
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    R
    θJC
    P
    D
    I
    D
    I
    D
    R
    θJA
    P
    D
    I
    D
    I
    D
    I
    DM
    R
    θJA
    P
    D
    I
    D
    I
    D
    I
    DM
    T
    J
    , T
    英镑
    E
    AS
    T
    L
    价值
    30
    ±20
    1.65
    75
    68
    43
    67
    1.87
    11.3
    7.1
    36
    120
    1.04
    8.4
    5.3
    28
    -55到150
    722
    260
    单位
    VDC
    VDC
    ° C / W
    瓦
    安培
    安培
    ° C / W
    瓦
    安培
    安培
    安培
    ° C / W
    瓦
    安培
    安培
    安培
    °C
    mJ
    °C
    http://onsemi.com
    2

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