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NTD4302G 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302G图片预览
型号: NTD4302G
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内容描述: 功率MOSFET 68 A, 30 V ,NA ????频道DPAK [Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 118 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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NTD4302
包装尺寸
DPAK (SINGLE GAUGE )
CASE 369C -01
版本D
A
B
C
A
c2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.热PAD等高可选WITHIN DI-
MENSIONS B3 ,L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存,突起,或毛刺。模具
闪存,突起,或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
−−−
0.040
0.155
−−−
MILLIMETERS
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
−−−
1.01
3.93
−−−
E
b3
L3
1
4
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
方式2 :
PIN 1. GATE
2.漏
3.源
4.漏
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
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