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NTD4302G 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302G图片预览
型号: NTD4302G
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内容描述: 功率MOSFET 68 A, 30 V ,NA ????频道DPAK [Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 118 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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NTD4302
功率MOSFET
特点
68 A, 30 V , N沟道DPAK
超低低R
DS ( ON)
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速,软恢复
较高的雪崩能量
I
DSS
指定高温
DPAK安装信息提供
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
典型值
7.8毫瓦@ 10 V
N沟道
D
I
D
最大
68 A
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理:
也就是说,电脑,打印机,手机和无绳电话,
和PCMCIA卡
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 25 (注4 )
连续漏电流@ T
C
= 100°C
热阻
结到环境
(注2 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲(注3 )
热阻
结到环境
(注1 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲(注3 )
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电,V
GS
= 10 VDC ,
峰值I
L
= 17 APK , L = 5.0 mH的,R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的,在1/8的情况下,从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
±20
1.65
75
68
43
67
1.87
11.3
7.1
36
120
1.04
8.4
5.3
28
−55
to
150
722
G
S
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
单位
VDC
VDC
° C / W
W
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
1
2
1 2
4
YWW
T
4302G
4
DPAK
CASE 369D
(直引线)
方式2
3
1 2 3
门漏源
Y
WW
T4302
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
YWW
T
4302G
4
DPAK
CASE 369C
(表面贴装)
方式2
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
3
2
1
3
来源
4
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
2.表面安装用0.5平方的FR4板。英寸漏极焊盘尺寸。
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 2 % 。
4.电流通过内部引线的限制。
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第5页上的一节。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年10月
启8
1
出版订单号:
NTD4302/D