NTD4302G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NTD4302G
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内容描述：	功率MOSFET 68 A， 30 V ，NA ????频道DPAK [Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 118 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

NTD4302

典型特征

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

100

的di / dt

= 10 V

单脉冲

= 25°C

1毫秒

10毫秒

100

0.25 I

时间

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

1000

Rthja （t）的有效瞬态

热阻

占空比

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

（ PK）

单脉冲

0.01

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

T，时间（秒）

1E+00

1E+01

1E+02

1E+03

占空比D = T

安装在最小建议足迹

0.1

qJA

（吨）= R（T ）R

qJA

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

J（下PK）

- T

= P

（ PK）

qJA

(t)

图13.热响应

−

各工作周期

订购信息

设备

NTD4302G

NTD4302−1G

NTD4302T4G

套餐类型

DPAK

DPAK−3

DPAK

包

369C

（无铅）

369D

（无铅）

369C

（无铅）

航运

†

75单位/铁

2500磁带&卷轴

†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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