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    NTD2955T4G 参数 Datasheet PDF下载

    NTD2955T4G图片预览
    型号： NTD2955T4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第8页  
    NTD2955
    −V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    1200
    C，电容（pF ）
    1000
    800
    600
    400
    200
    0
    10
    C
    OSS
    C
    RSS
    5
    −V
    GS
    0
    −V
    DS
    5
    10
    15
    20
    25
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    15
    V
    DS
    Q
    T
    V
    GS
    7.5
    5
    2.5
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    Q
    GS
    Q
    GD
    30
    20
    10
    0
    16
    60
    50
    40
    −V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 25°C
    12.5
    10
    I
    D
    = 12 A
    T
    J
    = 25°C
    C
    国际空间站
    Q
    T
    ，总栅极电荷（ NC）
    栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
    图7.电容变化
    图8.栅极至源极和漏极 - 源
    电压与总充电
    15
    −I
    S
    ，源电流（安培）
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 25°C
    10
    1000
    V
    DD
    = −30 V
    I
    D
    = −12 A
    V
    GS
    = −10 V
    T
    J
    = 25°C
    t
    f
    t
    r
    T， TIME （ NS ）
    100
    t
    D（关闭）
    10
    t
    D（上）
    5
    1
    1
    10
    R
    G
    ，栅极电阻（ W）
    100
    0
    0
    0.25
    0.5
    0.75
    1
    1.25
    1.5
    1.75
    −V
    SD
    ，源极到漏极电压（V ）
    图9.电阻开关时间
    变化与栅极电阻
    −V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    100
    图10.二极管的正向电压与电流
    V
    GS
    = −15 V
    单脉冲
    T
    C
    = 25°C
    10
    100
    ms
    1毫秒
    1
    的di / dt
    I
    S
    10毫秒
    dc
    t
    rr
    t
    a
    t
    b
    时间
    t
    p
    100
    R
    DS （ ON）
    极限
    热限制
    套餐限制
    0.1
    0.1
    1
    10
    0.25 I
    S
    I
    S
    −V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图11.最大额定正向偏置
    安全工作区
    图12.二极管的反向恢复波形
    http://onsemi.com
    4

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