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    NTD2955T4G 参数 Datasheet PDF下载

    NTD2955T4G图片预览
    型号： NTD2955T4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
    文件页数/大小： 8 页 / 68 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NTD2955T4G的Datasheet PDF文件第8页  
    NTD2955
    电气特性
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    漏极至源极击穿电压（注3 ）
    (V
    GS
    = 0伏，我
    D
    = -0.25毫安）
    （正温度系数）
    零栅极电压漏极电流
    (V
    GS
    = 0伏，V
    DS
    = -60伏直流，T
    J
    = 25°C)
    (V
    GS
    = 0伏，V
    DS
    = -60伏直流，T
    J
    = 150°C)
    门体漏电流（Ⅴ
    GS
    =
    ±
    20伏直流电，V
    DS
    = 0伏）
    基本特征
    （注3）
    栅极阈值电压
    (V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = −250
    MADC ）
    （负温度系数）
    静态漏源导通电阻
    (V
    GS
    = -10伏直流，我
    D
    = -6.0 ADC）
    漏极 - 源极导通电压
    (V
    GS
    = -10伏直流，我
    D
    = -12 ADC）
    (V
    GS
    = -10伏直流，我
    D
    = -6.0 ADC ，T
    J
    = 150°C)
    正向跨导（V
    DS
    = 10 VDC ，我
    D
    = 6.0 ADC）
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    （注3和4）
    导通延迟时间
    上升时间
    关断延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    (V
    DS
    = -48 VDC ，V
    GS
    = -10伏直流，
    I
    D
    = −12 A)
    漏源二极管特性
    （注3）
    二极管正向导通电压
    (I
    S
    = 12 ADC ，V
    GS
    = 0 V)
    (I
    S
    = 12 ADC ，V
    GS
    = 0 V ，T
    J
    = 150°C)
    反向恢复时间
    (I
    S
    = 12二
    S
    / DT = 100 A / ，V
    GS
    = 0 V)
    A,
    A / MS V
    V
    SD
    −
    −
    t
    rr
    t
    a
    t
    b
    反向恢复电荷存储
    3.表示脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    女士，
    占空比
    ≤
    2%.
    4.开关的特点是独立的工作结温。
    Q
    RR
    −
    −
    −
    −
    −1.6
    −1.3
    50
    40
    10
    0.10
    −
    −
    −
    mC
    −2.5
    −
    ns
    VDC
    (V
    DD
    = -30伏直流，我
    D
    = −12 A,
    V
    GS
    = -10 V ，R
    G
    = 9.1
    W)
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    T
    Q
    GS
    Q
    GD
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    10
    45
    26
    48
    15
    4.0
    7.0
    20
    85
    40
    90
    30
    −
    −
    nC
    ns
    (V
    DS
    = -25伏直流，V
    GS
    = 0伏，
    F = 1.0兆赫）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    −
    −
    −
    500
    150
    50
    750
    250
    100
    pF
    V
    GS （ TH）
    −2.0
    −
    R
    DS （ ON）
    −
    V
    DS （ ON）
    −1.86
    −
    政府飞行服务队
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    （ BR ） DSS
    −60
    −
    I
    DSS
    −
    −
    I
    GSS
    −
    −
    −
    −
    −10
    −100
    −100
    −
    67
    −
    −
    VDC
    毫伏/°C的
    MADC
    NADC
    VDC
    −2.8
    4.5
    0.155
    −4.0
    −
    0.180
    VDC
    −2.6
    −2.0
    −
    姆欧
    毫伏/°C的
    W
    8.0
    http://onsemi.com
    2

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