NTD2955T4G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NTD2955T4G
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
文件页数/大小：	8 页 / 68 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

NTD2955

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

= 25°C

= −10 V

−9.5 V

−9 V

−8 V

−7 V

−6.5 V

−6 V

−I

漏电流（ A）

≥

−10 V

= − 55°C

25°C

125°C

−I

漏电流（ A）

−5.5 V

−5 V

−V

，漏极至源极电压（伏）

−V

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

−I

，漏极电流（ AMPS ）

− 55°C

25°C

= 125°C

= −10 V

0.250

0.225

0.200

0.175

0.150

0.125

0.100

0.075

0.050

−I

，漏极电流（ AMPS ）

−15

= −10 V

= 25°C

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

− 50

− 25

100 125

，结温（ ° C）

150

175

= −10 V

= −6 A

−I

DSS

，漏电（ NA）

1000

= 0 V

100

= 125°C

100°C

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

−V

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

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