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MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551图片预览
型号: MMBT5551
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内容描述: 高压晶体管NPN硅 [High Voltage Transistors NPN Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管高压放大器
文件页数/大小: 6 页 / 118 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT5550LT1G , MMBT5551LT1G
1000
f
T
,电流增益带宽积(兆赫)
I
C
,集电极电流( A)
V
CE
= 1 V
T
A
= 25°C
100
1
10毫秒
0.1
1.0 S
0.01
10
1
0.1
100
1.0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
0.001
1.0
100
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
1000
图10.电流增益带宽积
100
70
50
30
C,电容(pF )
T, TIME ( NS )
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
IBO
C
敖包
1000
T
J
= 25°C
500
300
200
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
图11.安全工作区
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
1.0
V
R
,反向电压(伏)
20 30
2.0 3.0 5.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
200
图12的电容
图13.开启时间
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