MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5551
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内容描述：	高压晶体管NPN硅 [High Voltage Transistors NPN Silicon]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管高压放大器
文件页数/大小：	6 页 / 118 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5550LT1G,

MMBT5551LT1G

高电压晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

•

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

MMBT5550

MMBT5551

MMBT5550

MMBT5551

符号

首席执行官

价值

140

160

180

6.0

600

> 8000

＆ GT ; 400

单位

VDC

集热器

： BASE

电压

CBO

VDC

记号

图

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

−

连续

静电放电

人体模型

机器型号

EBO

ESD

VDC

MADC

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

X1X M

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ） @T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板（注2 ） @T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

−55

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

qJA

X1X =器件代码

M1F = MMBT5550LT

G1 = MMBT5551LT

M =日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

qJA

, T

英镑

订购信息

设备

MMBT5550LT1G

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT3G

包

航运

†

SOT- 23 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

SOT- 23 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年9月

−

9牧师

出版订单号：

MMBT5550LT1/D

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