MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
1.10
V
BE （ SAT ）
，相应- Emitt饱和电压（V）的
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
150°C
25°C
I
C
/I
B
= 10
-55°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
150°C
25°C
V
CE
= 10 V
-55°C
图5. V
BE （ SAT ）
2.5
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.5
C，电容（pF ）
1.0
0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
图6. V
BE（上）
T
J
= 25°C
C
IBO
C
敖包
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
图7.温度系数
图8的电容
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
V
BB
- 8.8 V
100
0.25
mF
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
V
CC
30 V
3.0 k
R
C
V
OUT
显示的值是我
C
@ 10毫安
图9.开关时间测试电路
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4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
