欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBT2907AM3T5G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907AM3T5G图片预览
型号: MMBT2907AM3T5G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 167 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第6页  
MMBT2907AM3T5G
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C
10
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= -1.0毫安,R
s
= 430
W
-500
毫安,
R
s
= 560
W
-50
毫安,
R
s
= 2.7千瓦
-100
毫安,
R
s
= 1.6千瓦
R
s
=最佳源电阻
NF ,噪声系数(dB )
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
I
C
= -50
mA
-100
mA
-500
mA
-1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男,频率(KHz )
R
s
,源电阻(欧姆)
图7.频率的影响
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图8.源电阻的影响
30
20
C,电容(pF )
C
eb
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.1
C
cb
100
80
60
40
30
20
-1.0 -2.0
V
CE
= -20 V
T
J
= 25°C
-0.2 -0.3 -0.5
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0
-10
-20 -30
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500 -1000
反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.的电容
图10.电流增益
带宽积
-1.0
T
J
= 25°C
-0.8
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
系数(MV /
°
C)
V
BE(上)
@ V
CE
= -10 V
+0.5
0
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
R
QVB
对于V
BE
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
I
C
,集电极电流(毫安)
-500
-2.5
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200 -500
I
C
,集电极电流(毫安)
图11. “开”电压
图12.温度系数
http://onsemi.com
5