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MMBT2907AM3T5G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907AM3T5G图片预览
型号: MMBT2907AM3T5G
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内容描述: PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 167 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT2907AM3T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注3 )
(I
C
=
−10
MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
=
−10
MADC ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=
−10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=
−30
VDC ,V
EB (O FF )
=
−0.5
VDC )
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
−50
VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
=
−50
VDC ,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基地截止电流
(V
CE
=
−30
VDC ,V
EB (O FF )
=
−0.5
VDC )
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
−0.1
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−1.0
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−10
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−150
MADC ,V
CE
=
−10
VDC )
(I
C
=
−500
MADC ,V
CE
=
−10
伏直流电)(注3)
集热器
:辐射源
饱和电压(注3)
(I
C
=
−150
MADC ,我
B
=
−15
MADC ) (注3)
(I
C
=
−500
MADC ,我
B
=
−50
MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压(注3)
(I
C
=
−150
MADC ,我
B
=
−15
MADC )
(I
C
=
−500
MADC ,我
B
=
−50
MADC )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积(注3,4)
(I
C
=
−50
MADC ,V
CE
=
−20
VDC , F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
=
−10
VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
=
−2.0
VDC ,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
=
−6.0
VDC ,我
C
=
−150
MADC ,
I
B1
= I
B2
=
−15
MADC )
(V
CC
=
−30
VDC ,我
C
=
−150
MADC ,
I
B1
=
−15
MADC )
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
200
8.0
30
兆赫
pF
h
FE
75
100
100
100
50
V
CE ( SAT )
-
-
V
BE ( SAT )
-
-
-1.3
-2.6
-0.4
-1.6
VDC
-
-
-
300
-
VDC
-
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
CBO
−60
−60
−5.0
−50
−0.010
−10
−50
VDC
VDC
VDC
NADC
MADC
符号
最大
单位
I
BL
NADC
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
http://onsemi.com
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