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    MMBT2907AM3T5G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2907AM3T5G图片预览
    型号： MMBT2907AM3T5G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 167 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2907AM3T5G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT2907AM3T5G
    典型特征
    3.0
    的hFE ，标准化的电流增益
    2.0
    V
    CE
    = -1.0 V
    V
    CE
    = -10 V
    T
    J
    = 125°C
    25°C
    1.0
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    -0.1
    - 55°C
    -0.2 -0.3
    -0.5 -0.7 -1.0
    -2.0
    -3.0
    -5.0 -7.0
    -10
    -20
    -30
    -50 -70 -100
    -200 -300
    -500
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图3.直流电流增益
    VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
    -1.0
    -0.8
    I
    C
    = -1.0毫安
    -0.6
    -10毫安
    -100毫安
    -500毫安
    -0.4
    -0.2
    0
    -0.005
    -0.01
    -0.02 -0.03 -0.05 -0.07 -0.1
    -0.2
    -0.3 -0.5 -0.7 -1.0
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    -2.0
    -3.0
    -5.0 -7.0 -10
    -20 -30
    -50
    图4.集电极饱和区
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    20
    t
    d
    @ V
    BE （OFF）的
    = 0 V
    10
    7.0
    5.0
    3.0
    -5.0 -7.0 -10
    -20 -30
    -50 -70 -100
    I
    C
    ，集电极电流
    t
    r
    500
    V
    CC
    = -30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    T
    J
    = 25°C
    T， TIME （ NS ）
    300
    200
    t
    f
    100
    70
    50
    30
    20
    2.0 V
    -200 -300 -500
    10
    7.0
    5.0
    -5.0 -7.0 -10
    t′
    s
    = t
    s
    - 1/8 t
    f
    V
    CC
    = -30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    I
    B1
    = I
    B2
    T
    J
    = 25°C
    T， TIME （ NS ）
    -20 -30
    -50 -70 -100
    -200 -300 -500
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图5.开启时间
    图6.开启，关闭时间
    http://onsemi.com
    4

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