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MMBT2907ALT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907ALT1图片预览
型号: MMBT2907ALT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 121 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT2907ALT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C
10
8.0
I
C
= -1.0毫安,R
s
= 430
W
−500
毫安,
R
s
= 560
W
−50
毫安,
R
s
= 2.7千瓦
−100
毫安,
R
s
= 1.6千瓦
R
s
=最佳源电阻
NF ,噪声系数(dB )
10
F = 1.0千赫
NF ,噪声系数(dB )
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
I
C
= −50
mA
−100
mA
−500
mA
= 1.0毫安
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男,频率(KHz )
R
s
,源电阻(欧姆)
图7.频率的影响
带宽积(兆赫)
图8.源电阻的影响
30
20
C,电容(pF )
C
eb
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
−0.1
C
cb
100
80
60
40
30
20
−1.0 −2.0
−0.2 −0.3 −0.5
−1.0
−2.0 −3.0 −5.0
−10
−20 −30
F T ,电流增益
V
CE
= −20 V
T
J
= 25°C
−5.0
−10
−20
−50
−100 −200
−500 −1000
反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
−1.0
T
J
= 25°C
系数(MV /
°
C)
−0.8
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= −10 V
+0.5
0
−0.5
−1.0
−1.5
−2.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
−2.5
−0.1 −0.2 −0.5 −1.0 −2.0
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
−0.6
−0.4
−0.2
0
−0.1 −0.2
−0.5 −1.0 −2.0 −5.0 −10 −20
−50 −100 −200
−500
−5.0 −10 −20
−50 −100 −200 −500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图11. “开”电压
图12.温度系数
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