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MMBT2907ALT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2907ALT1图片预览
型号: MMBT2907ALT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 121 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT2907ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注3 )
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= −10
MADC ,
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= −10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -30伏直流,V
EB (O FF )
= -0.5 V直流)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -50伏直流,我
E
= 0)
(V
CB
= -50伏直流,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基地截止电流
(V
CE
= -30伏直流,V
EB (O FF )
= -0.5 V直流)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ,V
CE
= -10伏直流)
(I
C
= -1.0 MADC ,V
CE
= -10伏直流)
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= -10伏直流)
(I
C
= -150 MADC ,V
CE
= -10伏直流)
(I
C
= -500 MADC ,V
CE
= -10伏) (注3)
集电极发射极饱和电压(注3 )
(I
C
= -150 MADC ,我
B
= -15 MADC ) (注3 )
(I
C
= -500 MADC ,我
B
= -50 MADC )
基地发射极饱和电压(注3)
(I
C
= -150 MADC ,我
B
= -15 MADC )
(I
C
= -500 MADC ,我
B
= -50 MADC )
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积(注3,4)
(I
C
= -50 MADC ,V
CE
= -20伏直流, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= -10伏直流,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= -2.0伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
(V
CC
= -6.0伏,我
C
= -150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= -15 MADC )
(V
CC
= -30伏直流,我
C
= -150 MADC ,
I
B1
= -15 MADC )
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
f
T
200
C
敖包
C
IBO
30
8.0
pF
兆赫
h
FE
75
100
100
100
50
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
−1.3
−2.6
−0.4
−1.6
VDC
300
VDC
V
( BR ) CEO
−60
V
( BR ) CBO
−60
V
( BR ) EBO
−5.0
I
CEX
I
CBO
I
BL
−50
−0.010
−10
NADC
−50
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
最大
单位
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