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    MMBT2907ALT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2907ALT1图片预览
    型号： MMBT2907ALT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 121 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2907ALT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2907ALT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2907ALT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2907ALT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2907ALT1的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT2907ALT1
    典型特征
    3.0
    的hFE ，标准化的电流增益
    2.0
    V
    CE
    = −1.0 V
    V
    CE
    = −10 V
    T
    J
    = 125°C
    25°C
    1.0
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    −0.1
    −55
    °C
    −0.2 −0.3
    −0.5 −0.7 −1.0
    −2.0
    −3.0
    −5.0 −7.0
    −10
    −20
    −30
    −50 −70 −100
    −200 −300
    −500
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图3.直流电流增益
    VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
    −1.0
    −0.8
    I
    C
    = -1.0毫安
    = 10毫安
    -100毫安
    ± 500毫安
    −0.6
    −0.4
    −0.2
    0
    −0.005
    −0.01
    −0.02 −0.03 −0.05 −0.07 −0.1
    −0.2
    −0.3 −0.5 −0.7 −1.0
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    −2.0
    −3.0
    −5.0 −7.0 −10
    −20 −30
    −50
    图4.集电极饱和区
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    20
    t
    d
    @ V
    BE （OFF）的
    = 0 V
    10
    7.0
    5.0
    3.0
    −5.0 −7.0 −10
    −20 −30
    −50 −70 −100
    I
    C
    ，集电极电流
    t
    r
    500
    V
    CC
    = −30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    T
    J
    = 25°C
    T， TIME （ NS ）
    300
    200
    t
    f
    100
    70
    50
    30
    20
    2.0 V
    −200 −300 −500
    10
    7.0
    5.0
    −5.0 −7.0 −10
    t′
    s
    = t
    s
    − 1/8 t
    f
    V
    CC
    = −30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    I
    B1
    = I
    B2
    T
    J
    = 25°C
    T， TIME （ NS ）
    −20 −30
    −50 −70 −100
    −200 −300 −500
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图5.开启时间
    图6.开启，关闭时间
    http://onsemi.com
    4

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