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MC33153P图片预览
型号: MC33153P
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内容描述: 单IGBT栅极驱动器 [Single IGBT Gate Driver]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管栅极驱动
文件页数/大小: 13 页 / 131 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC33153
10
ICC ,电源电流(mA )
ICC ,电源电流(mA )
8.0
6.0
4.0
2.0
0
5.0
T
A
= 25°C
输出高
输出低
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
−60
V
CC
= 15 V
V
引脚4
= V
CC
驱动器输出开路
−40
−20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
15
20
V
CC
,电源电压( V)
T
A
,环境温度( ° C)
图28.电源电流与
电源电压
80
ICC ,电源电流(mA )
V
CC
= 15 V
T
A
= 25°C
60
图29.电源电流与温度
C
L
- 10 nF的
= 5.0 nF的
40
= 2.0 nF的
20
= 1.0 nF的
0
1.0
10
100
1000
男,输入频率(千赫)
图30.电源电流与输入频率
操作说明
栅极驱动器
控制开关时间
IGBT的栅极驱动器的最重要的设计方面
是的开关特性的优化。该
开关特性是在马达尤其重要
其中脉宽调制晶体管在使用控制应用
桥配置。在这些应用中,栅极驱动器
电路组件应该被选择以优化的导通,
关断和关断状态阻抗。单个电阻可
用于控制两者的接通和关断,如图
图31.然而,选择的电阻值必须是一个
妥协开通唐突和关断损耗。
利用单个电阻器,通常只适合于非常低的
频率PWM 。优化的栅极驱动输出级
在图32中示出该电路允许导通和关断
要分别进行优化。导通电阻,R
on
,
提供了IGBT的导通速度控制。在电机
控制电路中,电阻器设置导通di / dt的那个
控制如何快速的续流二极管被清除。该
在IGBT和续流二极管的相互作用决定
点灯的dv / dt 。过度点灯的dv / dt是一种常见的
问题中的半桥电路。关断电阻R
关闭
,
控制的关断速度和保证IGBT的
在换向压力仍处于关闭状态。关断是关键
以获得低的开关损耗。 IGBT虽然表现出一定
最小的损失,由于少数载流子复合,慢
栅极驱动将主导关断损耗。这是
快速的IGBT尤其如此。它也可以将关断
IGBT的太快。过度的关断速度会导致
大的过冲电压。通常情况下,关断电阻是
一小部分的导通电阻。
该MC33153包含一个双极图腾柱输出级
这是能够采购1.0安培和下沉2.0安培的
高峰期。该输出还包含了一个下拉电阻,以保证
该IGBT关断时出现V不足
CC
MC33153.
在PWM逆变器,被IGBT在半桥中使用
配置。因此,至少一个设备是始终关闭。而
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